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陶瓷基片
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高导热性氮化铝陶瓷基片

    氮化铝陶瓷具有优良的导热性(为氧化铝陶瓷的5-10倍),较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能,优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,作为新一代的陶瓷材料,越来越受到人们的关注和重视。我司生产的氮化铝陶瓷,品质领先国内同类产品,具有国际先进水平,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。

 

AlN陶瓷基片主要性能指标

性能内容

性能指标

热导率(W/m·k

170

体积电阻率(Ω·cm

1013

介电常数[1MHz,25]

9

介电损耗[1MHz,25]

3.8х10-4

抗电强度(KV/mm)

17

体积密度(g/cm3

3.30

表面粗糙度Ra(µm) 

0.3~0.5

热膨胀系数[20 to 300](10-6/) 

4.6

抗弯强度(MPa) 

320~330

弹性模量(GPa) 

310~320

莫氏硬度

8

吸水率(%)

0

翘曲度(~/25(长度)) 

0.03~0.05

熔点

2500

外观/颜色

灰白色

注:

1.表面光洁度经抛光处理后,Ra0.1µm;

2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证,最小值±0.10mm;

3.特殊规格产品可按客户要求定制生产。