氮化铝陶瓷具有优良的导热性(为氧化铝陶瓷的5-10倍),较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能,优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,作为新一代的陶瓷材料,越来越受到人们的关注和重视。我司生产的氮化铝陶瓷,品质领先国内同类产品,具有国际先进水平,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。
AlN陶瓷基片主要性能指标 |
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性能内容 |
性能指标 |
热导率(W/m·k) |
≥170 |
体积电阻率(Ω·cm) |
>1013 |
介电常数[1MHz,25℃] |
9 |
介电损耗[1MHz,25℃] |
3.8х10-4 |
抗电强度(KV/mm) |
17 |
体积密度(g/cm3) |
≥3.30 |
表面粗糙度Ra(µm) |
0.3~0.5 |
热膨胀系数[20℃ to 300℃](10-6/℃) |
4.6 |
抗弯强度(MPa) |
320~330 |
弹性模量(GPa) |
310~320 |
莫氏硬度 |
8 |
吸水率(%) |
0 |
翘曲度(~/25(长度)) |
0.03~0.05 |
熔点 |
2500 |
外观/颜色 |
灰白色 |
注:
1.表面光洁度经抛光处理后,Ra≤0.1µm;
2.产品各向尺寸精度通过激光划线保证,最小值±0.10mm;
3.特殊规格产品可按客户要求定制生产。